Οι συσκευές ισχύος είναι τα βασικά συστατικά των ημιαγωγών νέων ενεργειακών οχημάτων και αποτελούν το βασικό κομμάτι για τη βελτίωση της αξίας. Με την ανάπτυξη νέων ενεργειακών οχημάτων, η ζήτηση για συσκευές ισχύος αυξάνεται, γεγονός που έχει γίνει ένα νέο σημείο ανάπτυξης για συσκευές ημιαγωγών ισχύος. Οι πιο δημοφιλείς συσκευές ισχύος είναι οι IGBT, SiC και GaN, ειδικά οι ημιαγωγοί τρίτης γενιάς. Από την έναρξη του έργου, τη συγκέντρωση κεφαλαίων και την κατασκευή εργοστασίων έως την εισαγωγή και παραγωγή εξοπλισμού, κάθε βήμα μιας μικρής ισχύος συσκευής έχει προσελκύσει μεγάλη προσοχή από τη βιομηχανία. Αρκεί να δείξουμε ότι το κοινό είναι αισιόδοξο για τις προοπτικές ανάπτυξης των συσκευών ισχύος, καθώς και τις προσδοκίες για τους εγχώριους κατασκευαστές συσκευών ισχύος. Ευτυχώς, πολλοί εγχώριοι κατασκευαστές IGBT, SiC και GaN ήρθαν ο ένας μετά τον άλλον με καλά νέα για" commanding" ;, έτσι ώστε να είμαστε πιο μακριά από τους προηγμένους κατασκευαστές του κόσμου' , και μπορούμε να ελπίζουμε ότι θα βρεθούμε στο κύμα νέων ενεργειακών οχημάτων. Πιάστε το λεωφορείο.
Οι εγχώριοι κατασκευαστές συσκευών ισχύος έχουν έρθει σε ένα νέο στάδιο του" θέση σε λειτουργία"
Στις 5 Ιουνίου, το έργο Phase I GaN Suzhou 8 ιντσών με βάση το πυρίτιο της Innosec' τέθηκε επίσημα σε παραγωγή. Το έργο αναμένεται να επενδύσει 8 δισεκατομμύρια γιουάν. Η κατασκευή και η μετακίνηση του εξοπλισμού θα ολοκληρωθεί το 2020 και η μαζική παραγωγή θα ξεκινήσει σήμερα, και θα γίνει η πρώτη στον κόσμο Η πρώτη εταιρεία που πέτυχε μαζική παραγωγή νιτριδίου του καλίου με βάση το πυρίτιο 8 ιντσών. Η παραγωγική ικανότητα θα αυξηθεί σταδιακά μετά την παραγωγή. Μέχρι το τέλος του 2021, η παραγωγική ικανότητα θα φτάσει τις 6.000 γκοφρέτες/μήνα. Αφού ολοκληρωθεί πλήρως το έργο στα τέλη του 2022, το εργοστάσιο στο Σούζου θα επιτύχει ετήσια παραγωγική ικανότητα 780.000 γκοφρέτων νιτριδίου του καλίου με βάση το πυρίτιο 8 ιντσών, με εκτιμώμενη ετήσια αξία παραγωγής 15 δισεκατομμύρια γιουάν.
Η Innosec (Zhuhai) Technology Co., Ltd. ιδρύθηκε στις 12 Δεκεμβρίου 2015. Τον Νοέμβριο του 2017, η τελετή έναρξης λειτουργίας της" 8 ιντσών γραμμής παραγωγής νιτριδίου του καλίου με πυρίτιο" πραγματοποιήθηκε στο Zhuhai. Τον Ιούνιο του 2018, η εταιρεία κυκλοφόρησε το πρώτο παγκόσμιο προϊόν' 8 ιντσών βασισμένο σε πυρίτιο νιτρίδιο γαλλίου WLCSP. Τον Ιούνιο του 2018, η τελετή έναρξης λειτουργίας της βάσης ημιαγωγών Suzhou Wide Bandgap πραγματοποιήθηκε στη ζώνη υψηλής τεχνολογίας Fenhu, στην πόλη Wujiang.
Το πρωί της 23ης Ιουνίου, Sanan Semiconductor στο Changsha, Hunan φωτίστηκε επίσημα και τέθηκε σε παραγωγή. Το μεγαλύτερο πλεονέκτημα αυτής της βάσης είναι ότι είναι η πρώτη εγχώρια και τρίτη παγκόσμια κάθετα ολοκληρωμένη βιομηχανική αλυσίδα καρβιδίου του πυριτίου που περιλαμβάνει υλικά υποστρώματος, επιταξιακή ανάπτυξη, κατασκευή γκοφρέτας και συσκευασία και δοκιμή. Hunan San' · ένα έργο Semiconductor SiC έχει συνολική επένδυση 16 δισεκατομμυρίων γιουάν. Από την πρωτοπορία τον Ιούλιο του 2020, το σούπερ εργοστάσιο με μηνιαία παραγωγή 30.000 γκοφρέτες καρβιδίου του πυριτίου 6 ιντσών ολοκληρώθηκε και τέθηκε σε παραγωγή. Το επόμενο βήμα στην παραγωγή είναι ο εντοπισμός σφαλμάτων και η μαγνητοσκόπηση της διαδικασίας. Μετά την ολοκλήρωση, η βάση ημιαγωγών Hunan San'an αναμένεται να επιτύχει ετήσιες πωλήσεις 12 δισεκατομμυρίων γιουάν.
Η Xiamen Sanan Integration ιδρύθηκε τον Μάιο του 2014 και άρχισε να επεκτείνεται σε σύνθετους ημιαγωγούς υψηλής τεχνολογίας το 2015. Στο τέλος του 2018, η Sanan Integration κυκλοφόρησε την πλατφόρμα διαδικασίας SiC, καθιστώντας το πρώτο εγχώριο εμπορικό ολοκληρωμένο κύκλωμα 6 ιντσών σύνθετου ημιαγωγού. σημαντική μαζική παραγωγή. Πλατφόρμα κατασκευής.
Μέχρι στιγμής, η Sanan Integrated έχει ξεκινήσει προηγμένες τεχνολογίες διαδικασιών για εφαρμογές RF, όπως GaAs HBT και pHEMT στον τομέα των μικροκυμάτων και των ραδιοσυχνοτήτων, και έχει κατασκευάσει μια επαγγελματική και μεγάλης κλίμακας γραμμή παραγωγής ιντσών 4 ιντσών, 6 ωρών. Στον τομέα των ηλεκτρονικών ισχύος, έχουν εισαχθεί δίοδοι ισχύος SiC και συσκευές ισχύος νιτριδίου του καλίου με πυρίτιο με υψηλή αξιοπιστία και υψηλή πυκνότητα ισχύος.
Το απόγευμα της 23ης Ιουνίου, η τελετή ολοκλήρωσης και έναρξης λειτουργίας της Sun.King Asia Pacific Semiconductor IGBT γραμμή παραγωγής, θυγατρική της Sun.King Technology, πραγματοποιήθηκε επιτυχώς στη Sun.King IGBT παραγωγική βάση, σηματοδοτώντας ότι η IGBT γραμμή παραγωγής της έχει μπει στο στάδιο της δοκιμαστικής παραγωγής. Το έργο IGBT της Sunjing Technology' σχεδιάζει να κατασκευάσει 2 γραμμές παραγωγής τσιπ IGBT στο πίσω μέρος και 5 συσκευασίες μονάδων IGBT και να δοκιμάσει γραμμές παραγωγής. Μετά την ολοκλήρωση, η ετήσια παραγωγική ικανότητα θα φτάσει τα 2 εκατομμύρια προϊόντα ενότητας IGBT.
Είναι κατανοητό ότι η Sunjing Technology ξεκίνησε επίσημα το δικό της έργο τεχνολογίας IGBT τον Μάρτιο του 2019. Στη συνέχεια, τον Ιούλιο του 2019, το έργο Sun.King IGBT υπεγράφη επίσημα και εγκαταστάθηκε στο Jiashan. Τον Ιούνιο του 2020, ξεκίνησε η κατασκευή της βάσης παραγωγής Sun.King IGBT. Τον Σεπτέμβριο του ίδιου έτους, κυκλοφόρησαν επίσημα τα πρώτα προϊόντα τσιπ και μονάδων IGBT της Sun.King' Οι εφαρμογές προϊόντων της εταιρείας' θα καλύψουν πεδία χαμηλής και μεσαίας τάσης από 600V έως 1700V και θα στοχεύουν στις αγορές ηλεκτρικών οχημάτων, φωτοβολταϊκών αιολικών και βιομηχανικών μετατροπών συχνότητας.
Marchδη από τον Μάρτιο του τρέχοντος έτους, ο Zhang Penggang, ανώτερος αντιπρόεδρος παγκόσμιων πωλήσεων της Nexperia Semiconductor, δήλωσε σε αποκλειστική συνέντευξη στο CCTV ότι η γκοφρέτα 12 ιντσών της Wingtech Nexperia' στο Lingang της Σαγκάης έχει σπάσει τον Ιανουάριο του τρέχοντος έτους και θα ξεκινήσει το 2022. Είχε τεθεί σε παραγωγή τον Ιούλιο του 2007 και η παραγωγική ικανότητα αναμένεται να φτάσει τις 400.000 γκοφρέτες ετησίως. Η Nexperia επικεντρώνεται στην παραγωγή, το σχεδιασμό και τις πωλήσεις διακριτών συσκευών, συσκευών λογικής και συσκευών MOSFET.
Το τσιπ IGBT τροφοδοτείται 12 ίντσες
Προς το παρόν, τα IGBT έχουν υψηλότερη απόδοση και ωριμότητα κόστους στα περισσότερα σενάρια εφαρμογών υψηλής ισχύος και δεν μπορούμε να κάνουμε χωρίς IGBT για λίγο. Επιπλέον, οι συσκευές ισχύος IGBT έχουν επίσης αρχίσει να προοδεύουν πλήρως σε τσιπ αυτοκινήτου. Σύμφωνα με την οικονομική έκθεση του Star Semiconductor', το 2020, οι μονάδες IGBT αυτοκινήτου που παράγονται με τα τσιπ της Star Semiconductor' θα υποστηρίξουν περισσότερα από 200.000 αυτοκίνητα στην παγκόσμια αγορά. Σύμφωνα με τις προβλέψεις της Stratview Research' στην αγορά IGBT, εκτιμάται ότι η αγορά IGBT μπορεί να έχει υγιή σύνθετο ετήσιο ρυθμό ανάπτυξης 4,5% από το 2020 έως το 2025.
Στο προηγούμενο άρθρο" Εγχώρια IGBT, ποια είναι η δύναμη;" ;, ο συγγραφέας έκανε επίσης μια εισαγωγή σχετικά με τη δύναμη του εγχώριου IGBT. Μεταξύ αυτών, αξίζει να αναφερθεί ότι η IGBT είναι μια εταιρεία που εξαρτάται σε μεγάλο βαθμό από τις λεπτομέρειες της γραμμής παραγωγής. Πάρτε ως παράδειγμα την έκθεση της Infineon, τον ίδιο σχεδιασμό, την απόδοση των προϊόντων που παράγονται σε γραμμές παραγωγής γκοφρέτας 6 ιντσών και 8 ιντσών. Η διαφορά είναι τεράστια και η απόδοση των προϊόντων που παράγονται στις ίδιες δύο γραμμές παραγωγής γκοφρέτας 8 ιντσών είναι επίσης πολύ διαφορετικό. Αυτό σημαίνει ότι η εταιρεία σχεδιασμού δεν μπορεί να σταθεί μόνη της πέρα από την υποστήριξη του χυτηρίου.
Και η Star Semiconductor, η κορυφαία εταιρεία IGBT, έχει επίσης συνεργαστεί στενά με τη Hua Hong στο χυτήριο τσιπ IGBT. Στις 24 Ιουνίου, η Hua Hong Semiconductor συνεργάστηκε με την Star Semiconductor για να δημιουργήσει τσιπ IGBT αυτοκινήτου και IGBT 12 ιντσών για να επιτύχει μαζική παραγωγή. Αυτό το τσιπ IGBT έχει περάσει την επαλήθευση προϊόντων των εταιρειών τερματικών αυτοκινήτων και έχει εισέλθει στην αγορά εφαρμογών αυτοκινήτου, όπως μονάδες ισχύος. Η αθροιστική αποστολή των IGBTs των δύο μερών έχει ξεπεράσει τις 250.000 ισοδύναμες γκοφρέτες 8 ιντσών.
Το 2020, η Hua Hong Semiconductor παρουσίασε την τεχνολογία IGBT 8 ιντσών στη γραμμή παραγωγής 12 ιντσών. Μετά από λιγότερο από ένα χρόνο έρευνας και ανάπτυξης, καθιέρωσε με επιτυχία τη διαδικασία παραγωγής γκοφρέτας IGBT στη γραμμή παραγωγής 12 ιντσών. Μια καθαρή εταιρεία χυτηρίου γκοφρέτας που παράγει μαζικά προηγμένα IGBTs Trench gate stop stop (FS, Field Stop) με γραμμή παραγωγής 12 ιντσών.
Και η αύξηση της παραγωγικής ικανότητας του εργοστασίου Wuxi' έχει επιταχυνθεί. Το εργοστάσιο 12 ιντσών της Hua Hong' Wuxi θα συνεισφέρει 54,6 εκατομμύρια δολάρια ΗΠΑ σε έσοδα από πωλήσεις το πρώτο τρίμηνο του 2020, αντιπροσωπεύοντας το 17,9% των συνολικών εσόδων, αύξηση 53,1% από το προηγούμενο τρίμηνο. Επί του παρόντος, το εργοστάσιο 12 ιντσών στο Wuxi έχει μηνιαία παραγωγική ικανότητα άνω των 40.000 τεμαχίων, εκ των οποίων 18.000 τεμάχια είναι συσκευές ισχύος, 10.000 τεμάχια το καθένα για ενσωματωμένο Flash και CIS και μικρό αριθμό άλλων προϊόντων. Η εταιρεία άρχισε να επιταχύνει το σχέδιο επέκτασης του εργοστασίου της 12 ιντσών στο Wuxi από πέρυσι. Εκτιμάται ότι η μηνιαία παραγωγική ικανότητα θα φτάσει τα 65.000 τεμάχια μέχρι το τέλος του τρέχοντος έτους και αναμένεται να ξεπεράσει τα 80.000 τεμάχια μέχρι τα μέσα του 2022.
Προς το παρόν, οι πιο ανταγωνιστικές γραμμές παραγωγής για προϊόντα IGBT είναι 8 ιντσών και 12 ιντσών και ο κορυφαίος κατασκευαστής είναι η Infineon. Η συντριπτική πλειοψηφία των εγχώριων κατασκευαστών γκοφρέτας ήταν ακόμα στο στάδιο των προϊόντων 6 ιντσών. Προς το παρόν, η BYD, η Zhuzhou CRRC Times, η Shanghai Advanced, η Huahong Grace, η Silan Micro κ.λπ. έχουν επιτύχει μαζική παραγωγή προϊόντων 8 ιντσών στην Κίνα και η πρώτη γραμμή παραγωγής τσιπ 12 ιντσών της Silan Micro εφαρμόστηκε επίσημα τον Δεκέμβριο του 2020. Βάλτε στην παραγωγή.
Η China Resources Micro επεκτείνει επίσης τη γραμμή παραγωγής της 12 ιντσών. Στις 7 Ιουνίου 2020, η εταιρεία ανακοίνωσε ότι η εταιρεία και η δεύτερη φάση του Big Fund και του Chongqing Xiyong θα επενδύσουν 9,5, 1,65 και 2,4 δισεκατομμύρια γιουάν αντίστοιχα για την ίδρυση της Runxi Microelectronics. Αυτό το έργο Με μια επένδυση περίπου 7,55 δισεκατομμυρίων γιουάν, θα σχηματίσει μια ικανότητα παραγωγής γκοφρέτας ημιαγωγών υψηλής ισχύος 30 ιντσών 30.000/μήνα, μετά την ολοκλήρωση, και θα υποστηρίξει ικανότητες επεξεργασίας επιταξιακών και λεπτών υμενίων 12 ιντσών. Η γραμμή παραγωγής θα υιοθετήσει μια διαδικασία 90nm και θα παράγει κυρίως προϊόντα ημιαγωγών ισχύος όπως MOSFET, IGBT και τσιπ διαχείρισης ενέργειας, στο πλαίσιο της προετοιμασίας για την είσοδο στους τομείς του βιομηχανικού ελέγχου και των ηλεκτρονικών αυτοκινήτων.
Μπορεί να φανεί ότι οι εγχώριοι κατασκευαστές IGBT έχουν πιάσει σταδιακά έως και 12 ίντσες. Τα γεγονότα έχουν αποδείξει ότι οι εγχώριοι κατασκευαστές IGBT πρέπει μόνο να εργαστούν σκληρά για να βελτιώνουν συνεχώς την απόδοση και την ποιότητα και το μέλλον μπορεί να αναμένεται.
SiC με πολλά πλεονεκτήματα, πρέπει ακόμα να αντιμετωπίσουμε τις δυσκολίες για να προλάβουμε
Εκτός από την ευρεία χρήση σε φωτοβολταϊκούς μετατροπείς, βιομηχανικά τροφοδοτικά και αγορές σωρών φόρτισης, οι συσκευές ισχύος SiC διεγείρονται κυρίως από την πρόσφατη επιταχυνόμενη εισαγωγή νέων κατασκευαστών οχημάτων ενέργειας. Τα χαρακτηριστικά της χαμηλής απώλειας μεταγωγής, της υψηλής συχνότητας μεταγωγής και της υψηλής αντίστασης θερμοκρασίας καθιστούν το SiC ικανοποιητικό Ιδανικό για απαιτήσεις ηλεκτρικών οχημάτων. Το SiC έχει αυξήσει την απόδοση των συσκευών ισχύος κατά περισσότερο από 2%, και οι συσκευές ισχύος που βασίζονται σε SiC έχουν μειώσει το βάρος κατά 6 κιλά και μπορούν να εξασφαλίσουν αύξηση 30% στα χιλιόμετρα του οχήματος.
Η έκθεση Yole ανέφερε ότι έως το 2024, η παγκόσμια αγορά συσκευών ισχύος SiC αυτοκινήτου αναμένεται να φτάσει τα 1,93 δισεκατομμύρια δολάρια ΗΠΑ, που αντιστοιχεί σε έναν σύνθετο ρυθμό ανάπτυξης 29% το 2018-2024. Ο σύνθετος ρυθμός αύξησης των εφαρμογών συσκευών ισχύος SiC από το 2017 έως το 2023 είναι 27%, εκ των οποίων ο σύνθετος ρυθμός ανάπτυξης των ηλεκτρικών και υβριδικών οχημάτων είναι 81%και ο σύνθετος ρυθμός ανάπτυξης των σωρών φόρτισης/σταθμών φόρτισης είναι 58%.
Αλλά ο βασικός λόγος για τον οποίο το SiC δεν έχει πραγματικά εκραγεί είναι η υψηλή τιμή. Σε σύγκριση με τις συσκευές Si, η τιμή του SiC είναι συχνά αρκετές φορές υψηλότερη. Αν και οι περισσότερες μονάδες φόρτισης, μετατροπείς, μετατροπείς DC-DC και ηλεκτρικά οχήματα χρησιμοποιούν αυτήν τη στιγμή τσιπ πυριτίου, οι περισσότεροι προμηθευτές της αγοράς έχουν δει ανάγκες αντικατάστασης από ΚΑΕ και πρωτογενείς και δευτερεύοντες προμηθευτές στην αυτοκινητοβιομηχανία. Οι προμηθευτές της αγοράς όπως η Infineon Technologies, η ST και η NXP ποντάρουν σε μεγάλο βαθμό στους ημιαγωγούς ισχύος SiC για την αγορά αυτοκινήτου. Πολλοί κατασκευαστές SiC έχουν επίσης υπογράψει πολυετείς συμφωνίες προμήθειας με προμηθευτές γκοφρέτας Cree/Wolfspeed και SiCrystal.
Το SiC έχει τόσα πολλά εξαιρετικά χαρακτηριστικά, η αγορά είναι ένας γαλάζιος ωκεανός. Ωστόσο, σύμφωνα με τους επαγγελματίες του κλάδου, εξακολουθούν να υπάρχουν πολλά κενά μεταξύ της βιομηχανίας SiC της Κίνας' και των εισαγόμενων εμπορικών σημάτων όσον αφορά τα υποστρώματα, την επιταξία και τις συσκευές:
Από την άποψη των υποστρωμάτων, τα εγχώρια υποστρώματα καρβιδίου του πυριτίου 4 ιντσών είναι σχετικά κοντά στο ξένο επίπεδο και έχουν αρχίσει να χρησιμοποιούνται σε παρτίδες σε ορισμένες εγχώριες συσκευές μάρκας. Το υπόστρωμα 6 ιντσών έχει παραχθεί μαζικά στο εξωτερικό και βρίσκεται ακόμη σε σχετικά πρώιμο στάδιο επαλήθευσης στην Κίνα. Το υπόστρωμα των 8 ιντσών μπορεί να έχει αναπτυχθεί στην Κίνα και ξένες μάρκες όπως το Cree αναμένεται να επιτύχουν μαζική παραγωγή έως το 2023. Σε γενικές γραμμές, υπάρχει μεγάλο χάσμα μεταξύ εγχώριων και ξένων χωρών σε επίπεδο πρώτων υλών.
Όσον αφορά την επιταξιακή πλευρά, η συνολική δυσκολία της επιταξιακής κατασκευής και οι απαιτήσεις για έλεγχο ελαττωμάτων είναι υψηλότερες από αυτές του υποστρώματος. Οι εγχώριες επιταξιακές γκοφρέτες 4 ιντσών είχαν ήδη ορισμένες εφαρμογές μεγάλης κλίμακας. Τα τελευταία δύο χρόνια, η απόδοση των επιταξιακών γκοφρέτων 4 ιντσών βελτιώθηκε περαιτέρω με τα σχόλια επαλήθευσης από την πλευρά της εφαρμογής της αγοράς. Το φύλλο υποστρώματος 6 ιντσών μόλις μπήκε στο στάδιο της παρτίδας και οι επαγγελματίες του κλάδου επεσήμαναν ότι πρέπει να επενδυθούν περισσότεροι πόροι προκειμένου να μειωθεί το χάσμα με τις ξένες χώρες.
Όσον αφορά τις συσκευές, οι εισαγόμενες μάρκες αντιπροσωπεύουν το μεγαλύτερο μέρος του συνόλου του μεριδίου αγοράς καρβιδίου του πυριτίου, ειδικά σε σχετικά υψηλού επιπέδου περιοχές, όπως διακομιστές τροφοδοσίας επί του σκάφους και τροφοδοτικά επικοινωνίας. Κάτω από τη γενική τάση της εγχώριας υποκατάστασης, οι τοπικές μάρκες έχουν αρχίσει να διεισδύουν σε ορισμένες περιοχές με σχετικά υψηλές απαιτήσεις αξιοπιστίας, ειδικά για προϊόντα με σχετικά μικρά κενά όπως οι δίοδοι καρβιδίου του πυριτίου, τα οποία αναμένεται να αυξήσουν το μερίδιο αγοράς τους σε σχετικά σύντομο χρονικό διάστημα. Τα εγχώρια MOSFET καρβιδίου του πυριτίου πρέπει να βελτιωθούν περαιτέρω όσον αφορά την τεχνολογία και την αξιοπιστία, προκειμένου να επιτευχθεί μαζική παραγωγή.
Αν και αντιμετωπίζουμε ένα ορισμένο κενό, υπό την επίδραση της αύξησης της ζήτησης της αγοράς, της τεχνολογικής βελτίωσης, της πολιτικής υποστήριξης, της παγκόσμιας έλλειψης πυρήνα και άλλων παραγόντων, οι εγχώριες εταιρείες καρβιδίου του πυριτίου αναπτύσσονται με ταχείς ρυθμούς, αυξάνοντας σταδιακά το μερίδιο αγοράς και μειώνοντας το χάσμα με τις εισαγόμενες μάρκες . Ορισμένες εγχώριες εταιρείες, συμπεριλαμβανομένων των Tianke Heda, Basic Semiconductor, Shandong Tianyue, Shanxi Shuoke και Hantian Tiancheng, καλλιεργούνται επίσης σε αυτόν τον τομέα και αναζητούν ανακαλύψεις.
Η αγορά GaN διπλασιάζεται το 2020 και οι εγχώριες εταιρείες GaN αναπτύσσονται ραγδαία
Σύμφωνα με τον Yole, η αγορά ενέργειας GaN διπλασιάστηκε το 2020, αναδεικνύοντας την εκπληκτική ανάπτυξη των γρήγορων φορτιστών smartphone και οδηγώντας τις αγορές τηλεπικοινωνιών και αυτοκινήτων. Το 2020, η αγορά εξοπλισμού GaN διαθέτει 46 εκατομμύρια δολάρια ΗΠΑ, εκ των οποίων τα ηλεκτρονικά είδη κατανάλωσης αντιπροσώπευαν 28,7 εκατομμύρια δολάρια ΗΠΑ και οι αγορές τηλεπικοινωνιών και κινητών τηλεφώνων κατέλαβαν το δεύτερο μεγαλύτερο τομέα εφαρμογών με 9,1 εκατομμύρια δολάρια ΗΠΑ. Ο Yole προβλέπει ότι ο συνολικός ετήσιος ρυθμός αύξησης του GaN από το 2020 έως το 2026 θα αυξηθεί κατά περίπου 70%και αναμένεται να είναι 1,1 δισεκατομμύρια δολάρια έως το 2026. Ο σύνθετος ετήσιος ρυθμός ανάπτυξης των ηλεκτρονικών ειδών ευρείας κατανάλωσης είναι 69%, φθάνοντας τα 672 εκατομμύρια δολάρια ΗΠΑ ? ο μικτός ετήσιος ρυθμός αύξησης των αγορών τηλεπικοινωνιών και κινητών είναι 71%, φθάνοντας τα 223 εκατομμύρια δολάρια ΗΠΑ · αξίζει να αναφερθεί ότι ο μικτός ετήσιος ρυθμός ανάπτυξης της αγοράς αυτοκινήτων θα φτάσει το 185%, Υπάρχει μια αγορά 155 εκατομμυρίων δολαρίων ΗΠΑ.